品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055UW-13
功率:520mW
导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
栅极电荷:4.3nC@4.5V
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.1A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
栅极电荷:700pC@4.5V
阈值电压:950mV@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:1.6A
功率:480mW
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055UW-7
功率:520mW
导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
栅极电荷:4.3nC@4.5V
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.1A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
栅极电荷:700pC@4.5V
阈值电压:950mV@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:1.6A
功率:480mW
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2710UWQ-13
功率:470mW
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
连续漏极电流:900mA
漏源电压:20V
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
输入电容:42pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
连续漏极电流:300mA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
栅极电荷:350pC@4.5V
类型:1个N沟道
输入电容:21.5pF@15V
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055U-13
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
连续漏极电流:4.8A
栅极电荷:4.3nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
输入电容:400pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:7.7nC@10V
类型:1个N沟道
阈值电压:1.2V@250μA
导通电阻:35mΩ
连续漏极电流:4.6A
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
输入电容:281pF@10V
功率:1.13W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055UWQ-13
功率:520mW
导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
栅极电荷:4.3nC@4.5V
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.1A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055UW-7
功率:520mW
导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
栅极电荷:4.3nC@4.5V
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.1A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UT-13
功率:290mW
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:38pF@10V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:1.2A
漏源电压:20V
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
栅极电荷:700pC@4.5V
阈值电压:950mV@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:7.7nC@10V
类型:1个N沟道
阈值电压:1.2V@250μA
导通电阻:35mΩ
连续漏极电流:4.6A
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
输入电容:281pF@10V
功率:1.13W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:7.7nC@10V
类型:1个N沟道
阈值电压:1.2V@250μA
导通电阻:35mΩ
连续漏极电流:4.6A
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
输入电容:281pF@10V
功率:1.13W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
连续漏极电流:300mA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
栅极电荷:350pC@4.5V
类型:1个N沟道
输入电容:21.5pF@15V
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2710UTQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:42pF@16V
连续漏极电流:870mA
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055UWQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:520mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UFZ-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:530mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:21.5pF@16V
连续漏极电流:550mA
类型:1个N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040UVT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:667pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055UW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:520mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:21.5pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:21.5pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040UVT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:667pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2710UWQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:42pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055UW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:520mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:7nC@4.5V
输入电容:594.3pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:7nC@4.5V
输入电容:594.3pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: