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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：7W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R600PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：7W
阈值电压：4.5V@80µA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：7W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R600PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：7W
阈值电压：4.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7SE8228AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R900P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30.5W
阈值电压：3.5V@60µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：211pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R900P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30.5W
阈值电压：3.5V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：211pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R900P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30.5W
阈值电压：3.5V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：211pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R900P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.5W
阈值电压：3.5V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：211pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R900P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30.5W
阈值电压：3.5V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：211pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R600PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：7W
阈值电压：4.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R600PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：7W
阈值电压：4.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7SE8228AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R900P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.5W
阈值电压：3.5V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：211pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R600P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：7W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
