品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC@10V
输入电容:4.057nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,28A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:123nC@10V
输入电容:2.159nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@10V,18A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:123nC@10V
输入电容:2.159nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@10V,18A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC@10V
输入电容:4.057nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,28A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:123nC@10V
输入电容:2.159nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@10V,18A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:123nC@10V
输入电容:2.159nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@10V,18A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:123nC@10V
输入电容:2.159nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@10V,18A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:123nC@10V
输入电容:2.159nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@10V,18A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:123nC@10V
输入电容:2.159nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@10V,18A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:123nC@10V
输入电容:2.159nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@10V,18A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC@10V
输入电容:4.057nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,28A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC@10V
输入电容:4.057nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,28A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:123nC@10V
输入电容:2.159nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@10V,18A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:123nC@10V
输入电容:2.159nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@10V,18A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP260MPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.057nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,28A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220NTRPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,2.9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: