品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:468mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1mA
栅极电荷:5.9nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:468mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@18V
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输入电容:196pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:468mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R260M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:201pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:346mΩ@3.6A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLB8721PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1077pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:468mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R260M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:201pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:346mΩ@3.6A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:468mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLB8721PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1077pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:468mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1mA
栅极电荷:5.9nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:468mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":800,"23+":870}
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R260M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:201pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:346mΩ@3.6A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLB8721PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1077pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":40,"21+":770,"23+":782,"MI+":150}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLB8721PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.35V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1077pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R260M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1.1mA
栅极电荷:6nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:201pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:346mΩ@3.6A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R260M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:201pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:346mΩ@3.6A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:468mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R260M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:201pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:346mΩ@3.6A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1041,"24+":712}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLB8721PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1077pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: