包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4

工作温度：-55℃~+150℃

功率：131W

阈值电压：2.97V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：37nC@20V

包装方式：散装

输入电容：579pF@2400V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：520mΩ@5A，20V

漏源电压：3.3kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4

工作温度：-55℃~+150℃

功率：131W

阈值电压：2.97V@1mA

栅极电荷：37nC@20V

包装方式：散装

输入电容：579pF@2400V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：520mΩ@5A，20V

漏源电压：3.3kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TP2435N8-G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.6W

阈值电压：2.4V

包装方式：Reel

连续漏极电流：231mA

类型：MOSFET

导通电阻：15Ω

漏源电压：350V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：APT30M75BFLLG

工作温度：-55℃~+150℃

功率：329W

阈值电压：5V

栅极电荷：57nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：44A

类型：MOSFET

导通电阻：75mΩ

漏源电压：300V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4

工作温度：-55℃~+150℃

功率：131W

阈值电压：2.97V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：37nC@20V

包装方式：散装

输入电容：579pF@2400V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：520mΩ@5A，20V

漏源电压：3.3kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4

工作温度：-55℃~+150℃

功率：131W

阈值电压：2.97V@1mA

栅极电荷：37nC@20V

包装方式：散装

输入电容：579pF@2400V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：520mΩ@5A，20V

漏源电压：3.3kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4

工作温度：-55℃~+150℃

功率：131W

阈值电压：2.97V@1mA

栅极电荷：37nC@20V

包装方式：散装

输入电容：579pF@2400V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：520mΩ@5A，20V

漏源电压：3.3kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：APT60M75L2LLG

工作温度：-55℃~+150℃

功率：893W

阈值电压：5V@5mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：195nC@10V

包装方式：管件

输入电容：8.93nF@25V

连续漏极电流：73A

类型：1个N沟道

导通电阻：75mΩ@36.5A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4

工作温度：-55℃~+150℃

功率：131W

阈值电压：2.97V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：37nC@20V

包装方式：散装

输入电容：579pF@2400V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：520mΩ@5A，20V

漏源电压：3.3kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TP2435N8-G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.6W

阈值电压：2.4V

包装方式：Reel

连续漏极电流：231mA

类型：MOSFET

导通电阻：15Ω

漏源电压：350V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：APT30M75BFLLG

工作温度：-55℃~+150℃

功率：329W

阈值电压：5V

栅极电荷：57nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：44A

类型：MOSFET

导通电阻：75mΩ

漏源电压：300V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：APT51F50J

工作温度：-55℃~+150℃

功率：480W

阈值电压：5V@2.5mA

栅极电荷：290nC@10V

包装方式：管件

输入电容：11.6nF@25V

连续漏极电流：51A

类型：1个N沟道

导通电阻：75mΩ@37A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：APT60GF120JRDQ3

ECCN：EAR99

包装方式：管件

输入电容：7.08nF@25V

栅极阈值电压(Vge(th))：3V@15V，100A

集电极截止电流(Ices)：1.2kV

类型：NPT(非穿通型)

工作温度：-55℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：APT60M75L2LLG

工作温度：-55℃~+150℃

功率：893W

阈值电压：5V@5mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：195nC@10V

包装方式：管件

输入电容：8.93nF@25V

连续漏极电流：73A

类型：1个N沟道

导通电阻：75mΩ@36.5A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：APT30M75BFLLG

工作温度：-55℃~+150℃

功率：329W

阈值电压：5V

栅极电荷：57nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：44A

类型：MOSFET

导通电阻：75mΩ

漏源电压：300V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：LND150N8-G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.6W

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10pF@25V

连续漏极电流：30mA

类型：1个N沟道

导通电阻：1kΩ@500μA，0V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TP0606N3-G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1W

阈值电压：2.4V@1mA

包装方式：袋

输入电容：150pF@25V

连续漏极电流：320mA

类型：1个P沟道

导通电阻：3.5Ω@750mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4

工作温度：-55℃~+150℃

功率：131W

阈值电压：2.97V@1mA

栅极电荷：37nC@20V

包装方式：散装

输入电容：579pF@2400V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：520mΩ@5A，20V

漏源电压：3.3kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4

工作温度：-55℃~+150℃

功率：131W

阈值电压：2.97V@1mA

栅极电荷：37nC@20V

包装方式：散装

输入电容：579pF@2400V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：520mΩ@5A，20V

漏源电压：3.3kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：APT51F50J

工作温度：-55℃~+150℃

功率：480W

阈值电压：5V@2.5mA

栅极电荷：290nC@10V

包装方式：管件

输入电容：11.6nF@25V

连续漏极电流：51A

类型：1个N沟道

导通电阻：75mΩ@37A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4

工作温度：-55℃~+150℃

功率：131W

阈值电压：2.97V@1mA

栅极电荷：37nC@20V

包装方式：散装

输入电容：579pF@2400V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：520mΩ@5A，20V

漏源电压：3.3kV

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DN1509N8-G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.6W

包装方式：卷带（TR）

输入电容：150pF@25V

连续漏极电流：360mA

类型：1个N沟道

导通电阻：6Ω@200mA，0V

漏源电压：90V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4

工作温度：-55℃~+150℃

功率：131W

阈值电压：2.97V@1mA

栅极电荷：37nC@20V

包装方式：散装

输入电容：579pF@2400V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：520mΩ@5A，20V

漏源电压：3.3kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4

工作温度：-55℃~+150℃

功率：131W

阈值电压：2.97V@1mA

栅极电荷：37nC@20V

包装方式：散装

输入电容：579pF@2400V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：520mΩ@5A，20V

漏源电压：3.3kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TP2435N8-G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.6W

阈值电压：2.4V

包装方式：Reel

连续漏极电流：231mA

类型：MOSFET

导通电阻：15Ω

漏源电压：350V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：APT60GF120JRDQ3

ECCN：EAR99

包装方式：管件

输入电容：7.08nF@25V

栅极阈值电压(Vge(th))：3V@15V，100A

集电极截止电流(Ices)：1.2kV

类型：NPT(非穿通型)

工作温度：-55℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4

工作温度：-55℃~+150℃

功率：131W

阈值电压：2.97V@1mA

栅极电荷：37nC@20V

包装方式：散装

输入电容：579pF@2400V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：520mΩ@5A，20V

漏源电压：3.3kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TP2435N8-G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.6W

阈值电压：2.4V

包装方式：Reel

连续漏极电流：231mA

类型：MOSFET

导通电阻：15Ω

漏源电压：350V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TP2435N8-G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.6W

阈值电压：2.4V

包装方式：Reel

连续漏极电流：231mA

类型：MOSFET

导通电阻：15Ω

漏源电压：350V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DN1509N8-G

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-55℃~+150℃

漏源电压：90V

类型：1个N沟道

输入电容：150pF@25V

导通电阻：6Ω@200mA，0V

功率：1.6W

连续漏极电流：360mA

包装清单：商品主体 * 1