采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2535N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5322K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2110K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2535N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2535N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5322K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5322K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5322K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2535N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2535N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2535N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2535N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
