采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G-P003
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：450pF@25V
漏源电压：60V
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
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连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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