品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:37W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:6.8nC@5V
输入电容:716pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:146mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK98180-100A/CUX
工作温度:-55℃~150℃
功率:8W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:619pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:173mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:1.8W€8.3W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7227-100B,118
工作温度:-55℃~+185℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.789nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:27mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BST82,215
工作温度:-65℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:190mA
类型:1个N沟道
导通电阻:10Ω@150mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7227-100B,118
工作温度:-55℃~+185℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.789nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:27mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BST82,215
工作温度:-65℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:190mA
类型:1个N沟道
导通电阻:10Ω@150mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:37W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:6.8nC@5V
输入电容:716pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:146mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK98180-100A/CUX
导通电阻:173mΩ@5A,10V
连续漏极电流:4.6A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:619pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:8W
类型:N沟道
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:21nC@10V
类型:1个N沟道
功率:1.8W€8.3W
阈值电压:4V@1mA
输入电容:633pF@25V
导通电阻:90mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
工作温度:-65℃~+150℃
连续漏极电流:3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:338W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:170nC@10V
输入电容:9.9nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:152W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:34.3nC@10V
输入电容:2.258nF@50V
连续漏极电流:79.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+185℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:2.789nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:27mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:152W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:34.3nC@10V
输入电容:2.258nF@50V
连续漏极电流:79.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y38-100EX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:95W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:30.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.72nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y38-100EX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:95W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:30.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.72nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:2V@1mA
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:190mA
类型:1个N沟道
导通电阻:10Ω@150mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:2V@1mA
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:190mA
类型:1个N沟道
导通电阻:10Ω@150mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+185℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:2.789nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:27mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:152W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:34.3nC@10V
输入电容:2.258nF@50V
连续漏极电流:79.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: