采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2400，"21+"：800，"22+"：2400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R2-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R9-60PSQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30282，"MI+"：6000}
包装规格(MPQ)：486psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-100ESQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5512pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2400，"21+"：800，"22+"：2400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R2-60E，118
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类型：N沟道
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漏源电压：60V
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库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30282，"MI+"：6000}
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销售单位：个
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包装方式：散装
输入电容：5512pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
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库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK661R8-30C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10918pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK661R8-30C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
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栅极电荷：168nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1600，"21+"：2911，"23+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
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库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1487}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK763R9-60E，118
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功率：263W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
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输入电容：7480pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
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库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4028}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK969R3-100E，118
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功率：263W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：94.3nC@5V
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输入电容：11650pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3200}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK661R8-30C，118
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功率：263W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@10V
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输入电容：10918pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：796}
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规格型号(MPN)：BUK762R6-40E，118
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ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7130pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2400，"21+"：800，"22+"：2400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R2-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30282，"MI+"：6000}
包装规格(MPQ)：486psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-100ESQ
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功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：散装
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
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功率：263W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
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输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1600，"21+"：2911，"23+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
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功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R9-60PSQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：796}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK762R6-40E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7130pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK661R8-30C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10918pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1600，"21+"：2911，"23+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R9-60PSQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R9-60PSQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R9-60PSQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4028}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK969R3-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11650pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
生产批次：{"20+"：3200}
规格型号(MPN)：BUK661R8-30C，118
输入电容：10918pF@25V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：263W
栅极电荷：168nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.8V@1mA
连续漏极电流：120A
ECCN：EAR99
导通电阻：1.9mΩ@25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
