品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":36000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XP,125
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XPAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XPAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XPAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XPAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
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栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XP,125
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XP,125
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XPAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN48XP,125
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: