品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@15V
连续漏极电流:8.5A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
类型:P-Channel
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:-1.13A
漏源电压:-30V
导通电阻:200mΩ@-1.95A,-10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6673BZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
栅极电荷:124nC@10V
功率:2.5W
导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN358P
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:182pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5.6nC@10V
导通电阻:125mΩ@1.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
输入电容:2470pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
栅极电荷:62nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN352AP
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
导通电阻:180mΩ@1.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4111PT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
功率:630mW
导通电阻:60mΩ@3.7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:750pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1600pF@15V
栅极电荷:38nC@10V
功率:860mW
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6673BZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
栅极电荷:124nC@10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
输入电容:200pF@15V
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:1.13A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN352AP
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
导通电阻:180mΩ@1.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS008P03P8Z
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:134nC@10V
输入电容:5600pF@15V
连续漏极电流:22A€96A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4171PT1G
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:75mΩ@2.2A,10V
栅极电荷:15.6nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
类型:P-Channel
连续漏极电流:2.2A
功率:480mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4173PT1G
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
输入电容:430pF@15V
栅极电荷:10.1nC@10V
类型:P沟道
功率:290mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:23+
规格型号(MPN):FDS9435A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:14nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
连续漏极电流:5.3A
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
输入电容:528pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"10+":21000}
规格型号(MPN):NTLUS4195PZTBG
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:5nC@4.5V
连续漏极电流:2A
导通电阻:90mΩ@3A,10V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:250pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN358P
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:182pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5.6nC@10V
导通电阻:125mΩ@1.5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF5P03T3G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
功率:1.56W
类型:P沟道
连续漏极电流:3.7A
导通电阻:100mΩ@5.2A,10V
输入电容:950pF@25V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF5P03T3G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
功率:1.56W
类型:P沟道
连续漏极电流:3.7A
导通电阻:100mΩ@5.2A,10V
输入电容:950pF@25V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-M-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
类型:P-Channel
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:-1.13A
漏源电压:-30V
导通电阻:200mΩ@-1.95A,-10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":420,"22+":2900,"23+":5491,"24+":6000}
规格型号(MPN):NTTFS008P03P8Z
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:134nC@10V
连续漏极电流:22A€96A
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:5600pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4171PT1G
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:75mΩ@2.2A,10V
栅极电荷:15.6nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
类型:P沟道
连续漏极电流:2.2A
功率:480mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR4502PT1G
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
输入电容:200pF@15V
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:1.13A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT458P
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:205pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT458P
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:205pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4111PT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
功率:630mW
导通电阻:60mΩ@3.7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:750pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ-F127-L701
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
输入电容:2045pF@15V
类型:P沟道
连续漏极电流:8.5A€18A
功率:2.3W€31W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:59mΩ@3A,10V
连续漏极电流:5A
功率:1.6W
输入电容:430pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: