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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4502PT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4502PT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4502PT1G

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P-Channel

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:-1.13A

    漏源电压:-30V

    导通电阻:200mΩ@-1.95A,-10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6673BZ

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:14.5A

    类型:P沟道

    栅极电荷:124nC@10V

    功率:2.5W

    导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN358P

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:182pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    功率:500mW

    类型:P沟道

    栅极电荷:5.6nC@10V

    导通电阻:125mΩ@1.5A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    输入电容:2470pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    栅极电荷:62nC@10V

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN352AP 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN352AP 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN352AP

    栅极电荷:1.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    功率:500mW

    类型:P沟道

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:1.3A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:180mΩ@1.3A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1G 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1G 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4111PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    功率:630mW

    导通电阻:60mΩ@3.7A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:32nC@10V

    输入电容:750pF@15V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS17D0P03P8ZTAG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS17D0P03P8ZTAG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1600pF@15V

    栅极电荷:38nC@10V

    功率:860mW

    类型:P沟道

    导通电阻:11.3mΩ@10A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6673BZ

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:14.5A

    类型:P沟道

    栅极电荷:124nC@10V

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4502PT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4502PT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4502PT1G

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:200mΩ@1.95A,10V

    输入电容:200pF@15V

    栅极电荷:10nC@10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:1.13A

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN352AP 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN352AP 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN352AP

    栅极电荷:1.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    功率:500mW

    类型:P沟道

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:1.3A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:180mΩ@1.3A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS008P03P8Z 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS008P03P8Z 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS008P03P8Z

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:134nC@10V

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:22A€96A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4171PT1G 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4171PT1G 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4171PT1G

    输入电容:720pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:75mΩ@2.2A,10V

    栅极电荷:15.6nC@10V

    阈值电压:1.4V@250µA

    类型:P-Channel

    连续漏极电流:2.2A

    功率:480mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4173PT1G

    导通电阻:150mΩ@1.2A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.2A

    输入电容:430pF@15V

    栅极电荷:10.1nC@10V

    类型:P沟道

    功率:290mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9435A 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9435A 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:23+

    规格型号(MPN):FDS9435A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:14nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5.3A,10V

    连续漏极电流:5.3A

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:528pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4195PZTBG 起订1527个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4195PZTBG 起订1527个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"10+":21000}

    规格型号(MPN):NTLUS4195PZTBG

    功率:600mW

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:5nC@4.5V

    连续漏极电流:2A

    导通电阻:90mΩ@3A,10V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:250pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN358P

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:182pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    功率:500mW

    类型:P沟道

    栅极电荷:5.6nC@10V

    导通电阻:125mΩ@1.5A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF5P03T3G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:38nC@10V

    功率:1.56W

    类型:P沟道

    连续漏极电流:3.7A

    导通电阻:100mΩ@5.2A,10V

    输入电容:950pF@25V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF5P03T3G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF5P03T3G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF5P03T3G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:38nC@10V

    功率:1.56W

    类型:P沟道

    连续漏极电流:3.7A

    导通电阻:100mΩ@5.2A,10V

    输入电容:950pF@25V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6341-M-TL-W 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6341-M-TL-W 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH6341-M-TL-W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    连续漏极电流:5A

    阈值电压:2.6V@1mA

    栅极电荷:10nC@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@3A,10V

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    输入电容:430pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4502PT1G 起订213000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4502PT1G 起订213000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4502PT1G

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P-Channel

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:-1.13A

    漏源电压:-30V

    导通电阻:200mΩ@-1.95A,-10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS008P03P8Z 起订224个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS008P03P8Z 起订224个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"20+":420,"22+":2900,"23+":5491,"24+":6000}

    规格型号(MPN):NTTFS008P03P8Z

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:134nC@10V

    连续漏极电流:22A€96A

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:5600pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4171PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4171PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4171PT1G

    输入电容:720pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:75mΩ@2.2A,10V

    栅极电荷:15.6nC@10V

    阈值电压:1.4V@250µA

    类型:P沟道

    连续漏极电流:2.2A

    功率:480mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4502PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4502PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR4502PT1G

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:200mΩ@1.95A,10V

    输入电容:200pF@15V

    栅极电荷:10nC@10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:1.13A

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT458P

    连续漏极电流:3.4A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    导通电阻:130mΩ@3.4A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:3.5nC@10V

    输入电容:205pF@15V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT458P

    连续漏极电流:3.4A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    导通电阻:130mΩ@3.4A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:3.5nC@10V

    输入电容:205pF@15V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1G 起订232个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1G 起订232个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4111PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    功率:630mW

    导通电阻:60mΩ@3.7A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:32nC@10V

    输入电容:750pF@15V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6341-TL-W 起订39000个装
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6341-TL-W 起订39000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH6341-TL-W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    连续漏极电流:5A

    栅极电荷:10nC@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@3A,10V

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    输入电容:430pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ-F127-L701 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ-F127-L701 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ-F127-L701

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:53nC@10V

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    输入电容:2045pF@15V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:8.5A€18A

    功率:2.3W€31W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6341-TL-W 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6341-TL-W 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH6341-TL-W

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    导通电阻:59mΩ@3A,10V

    连续漏极电流:5A

    功率:1.6W

    输入电容:430pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

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