采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L080N120SC1
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功率：170W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：29A
类型：N沟道
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漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：NTH4L080N120SC1
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包装方式：管件
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连续漏极电流：29A
类型：N沟道
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漏源电压：1200V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：NTH4L080N120SC1
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功率：170W
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类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：NVH4L080N120SC1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L080N120SC1
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连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L080N120SC1
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功率：170W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP125N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2990pF@380V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP125N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
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ECCN：EAR99
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包装方式：管件
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
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类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L080N120SC1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L080N120SC1
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.3V@5mA
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输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5830NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€158W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5880pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.3V@5mA
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包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.3V@5mA
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包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
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包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP125N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2990pF@380V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5830NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€158W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5880pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5830NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€158W
阈值电压：2.4V@250µA
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输入电容：5880pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：54，"23+"：114}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：54，"23+"：114}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5830NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€158W
阈值电压：2.4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：5880pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
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阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
