采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP201-V-TL-H
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：35A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：100，"22+"：2084850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：224.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18500pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：100，"22+"：2084850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：224.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18500pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：100，"22+"：2084850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：224.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18500pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：100，"22+"：2084850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：224.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18500pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3000，"17+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP201-TL-H
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP201-V-TL-H
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：35A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2700，"MI+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH35N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：312.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP201-V-TL-H
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：35A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2700，"MI+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH35N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：312.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP113-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP113-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：管件
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@35A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP113-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP113-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH110N65F-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH110N65F-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP201-TL-H
工作温度：150℃
功率：30W
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP201-TL-H
工作温度：150℃
功率：30W
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP212-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：34.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH110N65F-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8778
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP113-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8796
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：224.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18500pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6500，"MI+"：9210}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8778
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3000，"17+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP201-TL-H
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
