采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1896，"14+"：22250，"18+"：71990}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA2002NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：123mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA2002NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：123mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA2002NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：123mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3000，"16+"：22899，"19+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA2002NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：123mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3000，"16+"：22899，"19+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1896，"14+"：22250，"18+"：71990}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA2002NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：123mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA2002NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：123mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA2002NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：123mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA2002NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：123mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1896，"14+"：22250，"18+"：71990}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS020N03CTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS020N03CTAG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@8A，10V
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
连续漏极电流：5.3A
输入电容：620pF@15V
栅极电荷：11nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA2002NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：123mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA2002NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：123mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
