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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL9V2040D3ST
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：1.9V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：42W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：20mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL9V2040D3ST
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
栅极电荷：12nC
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工作温度：-40℃ ~ 175℃
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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
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规格型号(MPN)：ISL9V2040D3ST
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关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
栅极电荷：12nC
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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：74400，"18+"：2000，"MI+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL9V2040D3ST
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
栅极电荷：12nC
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分类：IGBT
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规格型号(MPN)：ISL9V2040D3ST
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：3.64µs
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分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
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规格型号(MPN)：ISL9V2040D3ST
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关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：74400，"18+"：2000，"MI+"：20000}
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分类：IGBT
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规格型号(MPN)：ISL9V2040D3ST
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关断延迟时间：3.64µs
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分类：IGBT
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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
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规格型号(MPN)：ISL9V2040D3ST
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关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：42W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：20mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL9V2040S3ST
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
栅极电荷：12nC
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分类：Mosfet场效应管
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包装规格(MPQ)：1500psc
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规格型号(MPN)：NTTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：42W
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连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：20mΩ
漏源电压：80V
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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
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规格型号(MPN)：ISL9V2040D3ST
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关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
栅极电荷：12nC
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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
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规格型号(MPN)：ISL9V2040S3ST
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：1.9V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL9V2040D3ST
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：1.9V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
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规格型号(MPN)：NTTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：42W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：20mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：42W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC
包装方式：Reel
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类型：MOSFET
导通电阻：20mΩ
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：42W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：20mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL9V2040D3ST
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-40℃ ~ 175℃
关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
栅极电荷：12nC
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
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规格型号(MPN)：NTTFS6H860NLTAG
包装方式：Reel
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连续漏极电流：30A
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ECCN：EAR99
类型：MOSFET
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规格型号(MPN)：ISL9V2040D3ST
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关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
栅极电荷：12nC
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工作温度：-40℃ ~ 175℃
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分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"20+"：700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL9V2040S3ST
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：42W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：20mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：42W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：20mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL9V2040D3ST
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：1.9V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"20+"：700}
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规格型号(MPN)：ISL9V2040S3ST
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：1.9V@4V，6A
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL9V2040S3ST
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关断延迟时间：3.64µs
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栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：1.9V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
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