采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：780}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI038AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6400pF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：780}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI038AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6400pF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI038AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6400pF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6400pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：751}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6400pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：751}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6400pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：751}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6400pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：780}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI038AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6400pF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
