品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":51000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5LN01S-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.6pF@10V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:7.8Ω@50mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05SM9A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:72W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:47 毫欧 @ 16A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":76000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5LN01SS-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.6pF@10V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:7.8Ω@50mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":42464}
销售单位:个
规格型号(MPN):5LP01SS-TL-H
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.4pF@10V
连续漏极电流:70mA
类型:P沟道
导通电阻:23Ω@40mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":222000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5HN01M-TL-H
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.2pF@10V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":21000,"12+":33875,"15+":204000,"16+":15000,"17+":57000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5HP01M-TL-H
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.2pF@10V
连续漏极电流:70mA
类型:P沟道
导通电阻:22Ω@40mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SBSS84LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":12000,"14+":42000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5LP01M-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.4pF@10V
连续漏极电流:70mA
类型:P沟道
导通电阻:23Ω@40mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":765000,"15+":63000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5HP01M-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.2pF@10V
连续漏极电流:70mA
类型:P沟道
导通电阻:22Ω@40mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":6000}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SBVS138LT1G
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:200mA
类型:MOSFET
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":57000,"14+":30000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5LN01M-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.6pF@10V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:7.8Ω@50mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84
功率:225mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":57000,"14+":30000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5LN01M-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.6pF@10V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:7.8Ω@50mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05SM9A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:72W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:47 毫欧 @ 16A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BVSS138LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BVSS138LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138LT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138LT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138LT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138LT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":3300,"11+":6000,"16+":30000,"17+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5HN01M-TL-H
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.2pF@10V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":53281,"16+":30000,"18+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6603-TL-H
工作温度:150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.4pF@10V
连续漏极电流:140mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:23Ω@40mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":21000,"12+":33875,"15+":204000,"16+":15000,"17+":57000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5HP01M-TL-H
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.2pF@10V
连续漏极电流:70mA
类型:P沟道
导通电阻:22Ω@40mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: