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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-S-TR
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：730000，"17+"：124000，"19+"：205000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC6605R-V-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-S-TR
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-S-TR
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：730000，"17+"：124000，"19+"：205000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC6605R-V-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5744}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
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栅极电荷：6.9nC@10V
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输入电容：489pF@30V
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反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
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栅极电荷：6.9nC@10V
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输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-S-TR
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-S-TR
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-S-TR
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-S-TR
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-S-TR
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-S-TR
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-S-TR
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
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输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5744}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-S-TR
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"14+"：730000，"17+"：124000，"19+"：205000}
规格型号(MPN)：EFC6605R-V-TR
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：150℃
阈值电压：1.3V@1mA
类型：2个N沟道
漏源电压：20V
功率：1.6W
导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
栅极电荷：6.9nC@10V
漏源电压：60V
输入电容：489pF@30V
功率：36W
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：4V@25μA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-S-TR
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-S-TR
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@30μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：2个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：6.2mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C470NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W
阈值电压：2.2V@20μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：2个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：9.2mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C470NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W
阈值电压：2.2V@20μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：2个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：9.2mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C470NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W
阈值电压：2.2V@20μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：2个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：9.2mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
