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    onsemi 结型场效应管 NSVJ5908DSG5T1G 起订2个装
    onsemi 结型场效应管 NSVJ5908DSG5T1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:结型场效应管

    行业应用:消费,其它

    销售单位:

    类型:2N-通道(双)

    ECCN:EAR99

    输入电容:10.5pF@5V

    功率:300mW

    栅源击穿电压:15V

    栅源截止电压:300mV@100µA

    工作温度:-55℃~150℃

    包装方式:卷带(TR)

    漏源饱和电流:10mA@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N-F085P 起订2583个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N-F085P 起订2583个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3000,"19+":3000,"20+":51000,"21+":207295}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6301N-F085P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 IMH20TR1G 起订1556个装
    onsemi 数字晶体管 IMH20TR1G 起订1556个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":2925,"07+":174000,"09+":3000,"16+":36000,"21+":27000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):80mV @ 2.5mA,50mA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 50mA,5V

    集电极电流(Ic):600mA

    输入电阻:2.2千欧

    集射极击穿电压(Vceo):15V

    功率:300mW

    晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 结型场效应管 MCH3914-7-TL-H 起订3个装
    onsemi 结型场效应管 MCH3914-7-TL-H 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:结型场效应管

    行业应用:消费,其它

    销售单位:

    类型:N通道

    ECCN:EAR99

    输入电容:4.9pF@5V

    功率:300mW

    栅源截止电压:600mV@10µA

    工作温度:150℃

    包装方式:卷带(TR)

    漏源饱和电流:16mA@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 结型场效应管 MCH5908H-TL-E 起订3个装
    onsemi 结型场效应管 MCH5908H-TL-E 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:结型场效应管

    行业应用:消费,其它

    销售单位:

    类型:2N-通道(双)

    ECCN:EAR99

    输入电容:10.5pF@5V

    功率:300mW

    栅源截止电压:300mV@100µA

    工作温度:150℃

    包装方式:卷带(TR)

    漏源饱和电流:16mA@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 结型场效应管 MCH3914-7-TL-H 起订3个装
    onsemi 结型场效应管 MCH3914-7-TL-H 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:结型场效应管

    行业应用:消费,其它

    销售单位:

    类型:N通道

    ECCN:EAR99

    输入电容:4.9pF@5V

    功率:300mW

    栅源截止电压:600mV@10µA

    工作温度:150℃

    包装方式:卷带(TR)

    漏源饱和电流:16mA@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 FJN4305RTA 起订4488个装
    onsemi 数字晶体管 FJN4305RTA 起订4488个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"17+":291426,"MI+":2000}

    销售单位:

    包装方式:剪切带(CT)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:300mW

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N 起订1751个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N 起订1751个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2651,"21+":5153,"22+":10261}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6335N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:113pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6322C 起订4951个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6322C 起订4951个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6322C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA€410mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4001NT1 起订8013个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4001NT1 起订8013个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":2785,"05+":81180}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4001NT1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:238mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA7002NT1G 起订75000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA7002NT1G 起订75000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA7002NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:154mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7Ω@154mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 FJN4305RTA 起订5000个装
    onsemi 数字晶体管 FJN4305RTA 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"17+":291426,"MI+":2000}

    销售单位:

    包装方式:剪切带(CT)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:300mW

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002ET7G 起订18个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002ET7G 起订18个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002ET7G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.81nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@240mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG1024NZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG1024NZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG1024NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS7002A 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS7002A 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS7002A

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG8850NZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG8850NZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG8850NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:400mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA7002NT1G 起订9766个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA7002NT1G 起订9766个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":32446,"16+":5800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA7002NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:154mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7Ω@154mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG1024NZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG1024NZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG1024NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT7G 起订22个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT7G 起订22个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KT7G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 结型场效应管 MCH5908H-TL-E 起订10个装
    onsemi 结型场效应管 MCH5908H-TL-E 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:结型场效应管

    行业应用:消费,其它

    销售单位:

    类型:2N-通道(双)

    ECCN:EAR99

    输入电容:10.5pF@5V

    功率:300mW

    栅源截止电压:300mV@100µA

    工作温度:150℃

    包装方式:卷带(TR)

    漏源饱和电流:16mA@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 结型场效应管 MCH3914-8-TL-H 起订10个装
    onsemi 结型场效应管 MCH3914-8-TL-H 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:结型场效应管

    行业应用:消费,其它

    销售单位:

    类型:N通道

    ECCN:EAR99

    输入电容:4.9pF@5V

    功率:300mW

    栅源截止电压:600mV@10µA

    工作温度:150℃

    包装方式:卷带(TR)

    漏源饱和电流:25mA@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG8850NZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG8850NZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG8850NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:400mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C-F085 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C-F085 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":8393,"22+":22849,"23+":104089,"MI+":48000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6332C-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:113pF@10V

    连续漏极电流:700mA€600mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT7G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT7G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KT7G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6301N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6321C 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6321C 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6321C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:500mA€410mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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