品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3604S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@15V
连续漏极电流:13A€23A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3669S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@15V
连续漏极电流:13A€18A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:10mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3606S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@15V
连续漏极电流:13A€27A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7650DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:206nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14765pF@15V
连续漏极电流:47A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@36A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3669S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@15V
连续漏极电流:13A€18A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:10mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3669S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@15V
连续漏极电流:13A€18A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:10mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7650DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:206nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14765pF@15V
连续漏极电流:47A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@36A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":1831,"24+":30000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3604S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@15V
连续漏极电流:13A€23A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":240,"19+":642}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3669S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@15V
连续漏极电流:13A€18A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:10mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7650DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:206nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14765pF@15V
连续漏极电流:47A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@36A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3664S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:13A€25A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3664S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:13A€25A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3669S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@15V
连续漏极电流:13A€18A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:10mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3664S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:13A€25A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3664S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:13A€25A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2086,"22+":4450,"23+":7228}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7650DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:206nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14765pF@15V
连续漏极电流:47A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@36A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3669S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@15V
连续漏极电流:13A€18A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:10mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7650DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:206nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14765pF@15V
连续漏极电流:47A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@36A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7650DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:206nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14765pF@15V
连续漏极电流:47A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@36A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3606S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@15V
连续漏极电流:13A€27A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3606S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@15V
连续漏极电流:13A€27A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3669S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@15V
连续漏极电流:13A€18A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:10mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3604S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@15V
连续漏极电流:13A€23A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3604S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@15V
连续漏极电流:13A€23A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: