品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":181228,"18+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C85NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.13W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@15V
连续漏极电流:15.4A€29.7A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS4C12NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C59NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1252pF@15V
连续漏极电流:9A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C027NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.51W€25.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@15V
连续漏极电流:16.4A€52A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€30.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:11A€69A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€30.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:11A€69A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":217616}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4H05NTWG
工作温度:150℃
功率:2.66W€46.3W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@12V
连续漏极电流:22.4A€94A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A€38A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C632NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€115W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:29A€155A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C59NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1252pF@15V
连续漏极电流:9A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€30.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:11A€69A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C668NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":75000,"16+":4550,"22+":136500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A€38A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":8}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4H02NFT1G
工作温度:150℃
功率:3.13W€83W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2652pF@12V
连续漏极电流:37A€193A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C09NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW€25.5W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:10.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1252pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":59192}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C032NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.46W€21.6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:13A€38A
类型:N沟道
导通电阻:7.35mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C08NT1G-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@15V
连续漏极电流:9A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":761402}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C13NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€21.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KW
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":33000,"19+":6000,"20+":1500,"21+":513300,"22+":270000,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C027NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.51W€25.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@15V
连续漏极电流:16.4A€52A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":18000,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C09NBT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW€25.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1252pF@15V
连续漏极电流:9A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":33000,"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4H013NFT1G
工作温度:150℃
功率:2.7W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3923pF@12V
连续漏极电流:43A€269A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KW
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C668NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A€48A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KW
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":33000,"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4H013NFT1G
工作温度:150℃
功率:2.7W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3923pF@12V
连续漏极电流:43A€269A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4H05NTWG
工作温度:150℃
功率:2.66W€46.3W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@12V
连续漏极电流:22.4A€94A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: