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    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€73W

    阈值电压:2V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@40V

    连续漏极电流:14.8A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8327L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@20V

    连续漏极电流:12A€14A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L-L701 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L-L701 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8327L-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@20V

    连续漏极电流:12A€14A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8878

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1230pF@15V

    连续漏极电流:9.6A€16.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L-L701 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L-L701 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8327L-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@20V

    连续漏极电流:12A€14A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€30.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:11A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD18N20V2TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€73W

    阈值电压:2V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@40V

    连续漏极电流:14.8A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€30.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:11A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1-1G 起订309个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1-1G 起订309个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":34500,"17+":3150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD60N360U1-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:790pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP10N20C 起订555个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP10N20C 起订555个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":16000,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP10N20C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:360mΩ@10V,4.75A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8327L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@20V

    连续漏极电流:12A€14A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8327L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@20V

    连续漏极电流:12A€14A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8878

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1230pF@15V

    连续漏极电流:9.6A€16.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订1169个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订1169个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€30.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:11A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD18N20V2TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF18N20FT 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF18N20FT 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF18N20FT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1180pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8327L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@20V

    连续漏极电流:12A€14A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF10N20C 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF10N20C 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF10N20C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:360mΩ@4.75A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD18N20V2TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€73W

    阈值电压:2V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@40V

    连续漏极电流:14.8A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.54nF@50V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22.5mΩ@10V,8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF18N20FT 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF18N20FT 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF18N20FT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1180pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8878

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:897pF@15V

    连续漏极电流:10.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€73W

    阈值电压:2V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@40V

    连续漏极电流:14.8A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8878

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1230pF@15V

    连续漏极电流:9.6A€16.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.54nF@50V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22.5mΩ@10V,8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD18N20V2TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8878

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:897pF@15V

    连续漏极电流:10.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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