品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8327L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€30W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@20V
连续漏极电流:12A€14A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8327L-L701
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€30W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@20V
连续漏极电流:12A€14A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8878
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@15V
连续漏极电流:9.6A€16.5A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8327L-L701
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€30W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@20V
连续漏极电流:12A€14A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€30.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:11A€69A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€30.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:11A€69A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":34500,"17+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N360U1-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":16000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:72W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,4.75A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8327L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€30W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@20V
连续漏极电流:12A€14A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8327L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€30W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@20V
连续漏极电流:12A€14A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8878
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@15V
连续漏极电流:9.6A€16.5A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€30.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:11A€69A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N20FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:41W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8327L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€30W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@20V
连续漏极电流:12A€14A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.54nF@50V
连续漏极电流:8A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€37W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N20FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:41W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8878
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:897pF@15V
连续漏极电流:10.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@10.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8878
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@15V
连续漏极电流:9.6A€16.5A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.54nF@50V
连续漏极电流:8A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8878
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:897pF@15V
连续漏极电流:10.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@10.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: