采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085T6
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€159.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6985pF@25V
连续漏极电流：50A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.95mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085T6
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€159.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6985pF@25V
连续漏极电流：50A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.95mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2092，"23+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2092，"23+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085T6
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€159.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6985pF@25V
连续漏极电流：50A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.95mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2092，"23+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：54341，"23+"：1860}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085T6
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€159.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6985pF@25V
连续漏极电流：50A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.95mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085T6
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€159.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6985pF@25V
连续漏极电流：50A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.95mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2092，"23+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085T6
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€159.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6985pF@25V
连续漏极电流：50A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.95mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085T6
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€159.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6985pF@25V
连续漏极电流：50A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.95mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2092，"23+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085T6
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€159.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6985pF@25V
连续漏极电流：50A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.95mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：27900，"23+"：73350，"MI+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
