品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":85,"20+":1350,"23+":3454}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0330N80
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6320pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":985,"23+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0330N80
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6320pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5710,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF36N60NT
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4785pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86366-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6320pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1516,"22+":27020,"MI+":1929}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86366-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6320pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0330N80
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6320pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86366-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6320pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86366-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6280pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86366-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6320pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":85,"20+":1350,"23+":3454}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0330N80
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6320pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":85,"20+":1350,"23+":3454}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0330N80
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6320pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0330N80
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6320pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5710,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF36N60NT
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4785pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":985,"23+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0330N80
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6320pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86366-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6320pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0330N80
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6320pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF85N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4120pF@25V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@26.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP36N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4785pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA36N60NF
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4245pF@100V
连续漏极电流:34.9A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0330N80
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6320pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: