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    品牌: ON SEMI
    栅极电荷: 112nC@10V
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€214W

    阈值电压:2V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@40V

    连续漏极电流:30A€224A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€214W

    阈值电压:2V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@40V

    连续漏极电流:30A€224A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订124个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订124个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":85,"20+":1350,"23+":3454}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0330N80

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6320pF@40V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订52个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订52个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":985,"23+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0330N80

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6320pF@40V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€214W

    阈值电压:2V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@40V

    连续漏极电流:30A€224A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF36N60NT 起订61个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF36N60NT 起订61个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5710,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF36N60NT

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4785pF@100V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€214W

    阈值电压:2V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@40V

    连续漏极电流:30A€224A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H800NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€214W

    阈值电压:2V@330µA

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@40V

    连续漏极电流:30A€224A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NLWFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NLWFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H800NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€214W

    阈值电压:2V@330µA

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@40V

    连续漏极电流:30A€224A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86366-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86366-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86366-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6320pF@40V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86366-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86366-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1516,"22+":27020,"MI+":1929}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86366-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6320pF@40V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0330N80

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6320pF@40V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€214W

    阈值电压:2V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@40V

    连续漏极电流:30A€224A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86366-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86366-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86366-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6320pF@40V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86366-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86366-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86366-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6280pF@40V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86366-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86366-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86366-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6320pF@40V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NLT1G 起订4500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NLT1G 起订4500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H800NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€214W

    阈值电压:2V@330µA

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@40V

    连续漏极电流:30A€224A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":85,"20+":1350,"23+":3454}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0330N80

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6320pF@40V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H800NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€214W

    阈值电压:2V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@40V

    连续漏极电流:30A€224A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":85,"20+":1350,"23+":3454}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0330N80

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6320pF@40V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0330N80

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6320pF@40V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF36N60NT 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF36N60NT 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5710,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF36N60NT

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4785pF@100V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":985,"23+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0330N80

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6320pF@40V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H800NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€214W

    阈值电压:2V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@40V

    连续漏极电流:30A€224A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86366-F085 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86366-F085 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86366-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6320pF@40V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0330N80

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6320pF@40V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF85N06 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF85N06 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF85N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4120pF@25V

    连续漏极电流:53A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@26.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP36N60N 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP36N60N 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP36N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4785pF@100V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA36N60NF 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA36N60NF 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA36N60NF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4245pF@100V

    连续漏极电流:34.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0330N80

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6320pF@40V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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