品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5124PLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C680NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€20W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:327pF@25V
连续漏极电流:7.82A€20A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3N40TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVC3S5A51PLZT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:262pF@20V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5124PLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86113LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€29W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@50V
连续漏极电流:4.2A€5.5A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@4.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC86244
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:345pF@75V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:144mΩ@2.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H888NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€23W
阈值电压:2V@15µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:258pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86116LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€19W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@50V
连续漏极电流:3.3A€7.5A
类型:N沟道
导通电阻:103mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5124PLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5124PLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5124PLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86116LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€19W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@50V
连续漏极电流:3.3A€7.5A
类型:N沟道
导通电阻:103mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86116LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€19W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@50V
连续漏极电流:3.3A€7.5A
类型:N沟道
导通电阻:103mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86116LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€19W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@50V
连续漏极电流:3.3A€7.5A
类型:N沟道
导通电阻:103mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU6N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU6N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5124PLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5124PLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C680NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€20W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:327pF@25V
连续漏极电流:7.82A€20A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H888NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€23W
阈值电压:2V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:258pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":3945,"13+":144192,"22+":555}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N25TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5124PLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86113LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€29W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@50V
连续漏极电流:4.2A€5.5A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@4.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5124PLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5124PLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5124PLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86113LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€29W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@50V
连续漏极电流:4.2A€5.5A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@4.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5124PLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H888NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€23W
阈值电压:2V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:258pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: