采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：388，"22+"：1882}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN359AN
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~150℃
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
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输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN359AN
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ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
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功率：500mW
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
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输入电容：480pF@10V
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2911，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
