采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB40T65SPD-F085
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：35ns
反向恢复时间：34ns
关断损耗：280µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：36nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，40A
导通损耗：970µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB40T65SPD-F085
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：35ns
反向恢复时间：34ns
关断损耗：280µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：36nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，40A
导通损耗：970µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：10000}
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J004NUZTDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：7.1mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J004NUZTDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：7.1mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J004NUZTDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：7.1mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB40T65SPD-F085
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：35ns
反向恢复时间：34ns
关断损耗：280µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：36nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，40A
导通损耗：970µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J004NUZTDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：7.1mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB40T65SPD-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：35ns
反向恢复时间：34ns
关断损耗：280µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：36nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，40A
导通损耗：970µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J004NUZTDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：7.1mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL40T65SPD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：35ns
反向恢复时间：35ns
关断损耗：270µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：36nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，40A
导通损耗：1.16mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J004NUZTDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：7.1mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL40T65SPD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：35ns
反向恢复时间：35ns
关断损耗：270µJ
开启延迟时间：18ns
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栅极电荷：36nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，40A
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工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J004NUZTDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：7.1mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J004NUZTDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：7.1mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB40T65SPD-F085
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：35ns
反向恢复时间：34ns
关断损耗：280µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：36nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，40A
导通损耗：970µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
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分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：FGB40T65SPD-F085
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：120A
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栅极电荷：36nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，40A
导通损耗：970µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J004NUZTDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：7.1mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL40T65SPD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：35ns
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关断损耗：270µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：36nC
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集电极电流(Ic)：2.4V@15V，40A
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工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J004NUZTDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：7.1mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J004NUZTDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：7.1mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB40T65SPD-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：35ns
反向恢复时间：34ns
关断损耗：280µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：36nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，40A
导通损耗：970µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB40T65SPD-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：35ns
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关断损耗：280µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：36nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，40A
导通损耗：970µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB40T65SPD-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：35ns
反向恢复时间：34ns
关断损耗：280µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：36nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，40A
导通损耗：970µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL40T65SPD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：35ns
反向恢复时间：35ns
关断损耗：270µJ
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集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：36nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，40A
导通损耗：1.16mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB40T65SPD-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：35ns
反向恢复时间：34ns
关断损耗：280µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：36nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，40A
导通损耗：970µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB40T65SPD-F085
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：35ns
反向恢复时间：34ns
关断损耗：280µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：36nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，40A
导通损耗：970µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB40T65SPD-F085
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：35ns
反向恢复时间：34ns
关断损耗：280µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：36nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，40A
导通损耗：970µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL40T65SPD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：35ns
反向恢复时间：35ns
关断损耗：270µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：36nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，40A
导通损耗：1.16mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J004NUZTDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：7.1mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J004NUZTDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：7.1mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
