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    品牌: ON SEMI
    栅极电荷: 2nC@10V
    当前匹配商品:30+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订589个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订589个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":701,"22+":3610,"23+":2632}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1436-TL-W 起订3206个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1436-TL-W 起订3206个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":19995}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1436-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@900mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":874,"22+":13717}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":701,"22+":3610,"23+":2632}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1436-TL-H 起订2914个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1436-TL-H 起订2914个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1436-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@900mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1436-TL-W 起订3206个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1436-TL-W 起订3206个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1436-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.6V@1mA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@900mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订589个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订589个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":874,"22+":13717}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1436-TL-H 起订2914个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1436-TL-H 起订2914个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"01+":478000,"11+":15000,"12+":2729975}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1436-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@900mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH2825-TL-E 起订2671个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH2825-TL-E 起订2671个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"02+":4830,"11+":615624}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH2825-TL-E

    工作温度:-55℃~125℃

    功率:600mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@800mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1436-TL-H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1436-TL-H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"01+":478000,"11+":15000,"12+":2729975}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1436-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@900mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":874,"22+":13717}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH2825-TL-E 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH2825-TL-E 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"02+":4830,"11+":615624}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH2825-TL-E

    工作温度:-55℃~125℃

    功率:600mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@800mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH2825-TL-E 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH2825-TL-E 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH2825-TL-E

    工作温度:-55℃~125℃

    功率:600mW

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@800mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    连续漏极电流:1.2A€3A

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    栅极电荷:2nC@10V

    阈值电压:4V@250μA

    功率:2.3W€10W

    输入电容:73pF@75V

    工作温度:-55℃~+150℃

    反向传输电容:1pF@75V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":874,"22+":13717}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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