采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N40F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：235W
阈值电压：3V
栅极电荷：60nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：23A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N40F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：235W
阈值电压：3V
栅极电荷：60nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：23A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N40F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：235W
阈值电压：3V
栅极电荷：60nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：23A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N40F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：235W
阈值电压：3V
栅极电荷：60nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：23A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N40F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：235W
阈值电压：3V
栅极电荷：60nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：23A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N40F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：235W
阈值电压：3V
栅极电荷：60nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：23A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N40F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：235W
阈值电压：3V
栅极电荷：60nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：23A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N40F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：235W
阈值电压：3V
栅极电荷：60nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：23A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N40F
阈值电压：3V
栅极电荷：60nC
连续漏极电流：23A
导通电阻：190mΩ
包装方式：Tube
工作温度：-55℃~+150℃
功率：235W
类型：MOSFET
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N40F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：235W
阈值电压：3V
栅极电荷：60nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：23A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N40F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：235W
阈值电压：3V
栅极电荷：60nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：23A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N40F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：235W
阈值电压：3V
栅极电荷：60nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：23A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N40F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：235W
阈值电压：3V
栅极电荷：60nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：23A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极脉冲电流(Icm)：56A
开启延迟时间：11ns/100ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：60nC
集电极电流(Ic)：2.7V @ 15V，7A
导通损耗：55µJ（开），150µJ（关）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：HGTP7N60A4-F102
集电极脉冲电流(Icm)：56A
栅极电荷：60nC
开启延迟时间：11ns/100ns
集电极电流(Ic)：2.7V @ 15V，7A
集电极截止电流(Ices)：600V
导通损耗：55µJ（开），150µJ（关）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
销售单位：个
集电极脉冲电流(Icm)：56A
栅极电荷：60nC
开启延迟时间：11ns/100ns
集电极电流(Ic)：2.7V @ 15V，7A
集电极截止电流(Ices)：600V
导通损耗：55µJ（开），150µJ（关）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
