采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：665，"19+"：926，"MI+"：615}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€35W
阈值电压：4V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2475pF@50V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：213}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG11N120CND
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：70ns
关断损耗：1.3mJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，11A
导通损耗：950µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：特殊晶体管
行业应用：其它
生产批次：{"21+"：6683，"22+"：4148，"MI+"：540}
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NFA50460R4B
包装方式：管件
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP190N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3225pF@25V
连续漏极电流：20.6A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：80950，"MI+"：1800}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGHL50T65MQD
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：32ns
关断损耗：700µJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：94nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.8V@15V，50A
导通损耗：1.05mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：16500，"22+"：5040}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU8P10TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：80}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH067N65S3-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL050N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：378W
阈值电压：5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5017pF@400V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：3150}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65SHDTL4
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：189ns
反向恢复时间：76ns
关断损耗：1.56mJ
开启延迟时间：55ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：126nC
类型：场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：1.06mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：9000}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65SQDTL4
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：276ns
反向恢复时间：76ns
关断损耗：266µJ
开启延迟时间：44ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：128nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：307µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：7050，"9999"：284}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF04N62ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：2917}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP75N03R
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€74.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：31714，"MI+"：7000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5426NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5800pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7280pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€35W
阈值电压：4V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2475pF@50V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU360N65S3R0
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：10A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP100N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7300pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：特殊晶体管
行业应用：其它
生产批次：{"18+"：180}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FSB50660SFT
包装方式：管件
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L020N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：510W
阈值电压：4.3V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2943pF@800V
连续漏极电流：102A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：348W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：99A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N90CT
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@4A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2552
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：5A€37A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@16A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGY160T65SPD-F085
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：480A
关断延迟时间：98ns
反向恢复时间：132ns
关断损耗：5.7mJ
开启延迟时间：53ns
集电极截止电流(Ices)：650V
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.05V@15V，160A
导通损耗：12.4mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"20+"：21，"23+"：54720，"MI+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB20N60L2TF1G
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：193ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：60ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：84nC
集电极电流(Ic)：1.65V@15V，20A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：特殊晶体管
行业应用：其它
生产批次：{"20+"：270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FSB50550B
包装方式：管件
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：11490，"10+"：2950，"11+"：18000，"12+"：9000，"14+"：942，"9999"：500，"MI+"：13000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF04N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：44600，"07+"：75，"08+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03R
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF13N50CF
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2055pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
