品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
连续漏极电流:3A
类型:2个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,3.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
输入电容:46pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:2个N沟道
导通电阻:375mΩ@4.5V,630mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
输入电容:46pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:2个N沟道
导通电阻:375mΩ@4.5V,630mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
输入电容:46pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:2个N沟道
导通电阻:375mΩ@4.5V,630mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:9nC@4.5V
输入电容:650pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:9nC@4.5V
输入电容:650pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
输入电容:46pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:2个N沟道
导通电阻:375mΩ@4.5V,630mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6335N
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:700mA
输入电容:113pF@10V
栅极电荷:1.4nC@4.5V
类型:2个N沟道
导通电阻:300mΩ@4.5V,700mA
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
阈值电压:1.5V@250μA
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
阈值电压:1.5V@250μA
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA
阈值电压:1.5V@250μA
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
输入电容:66.5pF@10V
连续漏极电流:700mA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: