品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJD3115PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:531pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":20,"23+":1900}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":104400,"12+":103691,"13+":134453}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1H
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD3A260PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:200mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJD3115PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:531pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD3A260PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:200mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME1023PZT
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:142mΩ@2.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD3A50PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD3A50PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD3A260PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:200mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3129PT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@15V
连续漏极电流:140mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJD3115PTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:531pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJD3181PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3171PZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.5pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3171PZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.5pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: