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    品牌: ON SEMI
    漏源电压: 20V
    类型: 2个P沟道(双)
    阈值电压: 1V@250µA
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3115PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY1002PZ 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY1002PZ 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY1002PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:446mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:830mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY1002PZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY1002PZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY1002PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:446mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:830mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY1002PZ 起订2045个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY1002PZ 起订2045个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":20,"23+":1900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY1002PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:446mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:830mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3152PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":104400,"12+":103691,"13+":134453}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3152PT1H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY1002PZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY1002PZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY1002PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:446mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:830mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订8000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订8000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3152PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3152PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD3A260PZTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD3A260PZTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUD3A260PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:200mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订12000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订12000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3152PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PT1G 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PT1G 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3115PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD3A260PZTAG 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD3A260PZTAG 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:08+

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUD3A260PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:200mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1023PZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:142mΩ@2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY1002PZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY1002PZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY1002PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:446mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:830mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD3A50PZTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD3A50PZTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUD3A50PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@15V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3152PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3152PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3152PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订8000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订8000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3152PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD3A50PZTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD3A50PZTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUD3A50PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@15V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3152PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD3A260PZTAG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD3A260PZTAG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:08+

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUD3A260PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:200mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3152PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3129PT5G 起订1106个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3129PT5G 起订1106个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTUD3129PT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@15V

    连续漏极电流:140mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PTAG 起订1886个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PTAG 起订1886个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3115PTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3152PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3181PZTAG 起订1457个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3181PZTAG 起订1457个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3181PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3171PZT5G 起订1457个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3171PZT5G 起订1457个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTUD3171PZT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.5pF@15V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3171PZT5G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3171PZT5G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTUD3171PZT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.5pF@15V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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