品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:169nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H888NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@40V
连续漏极电流:4.7A€12A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H801NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5126pF@40V
连续漏极电流:24A€160A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:20A€110A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0250N807L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15400pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D2N08H
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€300W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@40V
连续漏极电流:41A€335A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86320
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@40V
连续漏极电流:10.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB024N08BL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@40V
连续漏极电流:6.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H850NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€107W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@40V
连续漏极电流:11A€68A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86340
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.3W(Ta),54W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3885 pF @ 40 V
连续漏极电流:14A(Ta),48A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86324
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H818NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€140W
阈值电压:2V@190µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3844pF@40V
连续漏极电流:22A€135A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H848NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€73W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@40V
连续漏极电流:13A€57A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H852NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€54W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS039N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7600pF@40V
连续漏极电流:19.4A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86367-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4840pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:20A€110A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€107W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@40V
连续漏极电流:11A€68A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1990pF@25V
连续漏极电流:8.9A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@8.9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D2N08H
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€300W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@40V
连续漏极电流:41A€335A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800 pF @ 25 V
连续漏极电流:7.6A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:29 毫欧 @ 7.6A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: