采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：568}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D9N12C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€333W
阈值电压：4V@686µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8894pF@60V
连续漏极电流：18A€210A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@100A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86201
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2735pF@60V
连续漏极电流：11.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@11.6A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86201
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2735pF@60V
连续漏极电流：11.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@11.6A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86201
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2735pF@60V
连续漏极电流：11.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@11.6A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D0N12C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€106W
阈值电压：4V@370A
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6460pF@60V
连续漏极电流：18.5A€114A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@67A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202ET120
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4585pF@60V
连续漏极电流：13.5A€102A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202ET120
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4585pF@60V
连续漏极电流：13.5A€102A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800120DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@60V
连续漏极电流：20A€129A
类型：N沟道
导通电阻：4.14mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800120DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@60V
连续漏极电流：20A€129A
类型：N沟道
导通电阻：4.14mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：8443，"22+"：7660，"23+"：1504}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800120DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@60V
连续漏极电流：20A€129A
类型：N沟道
导通电阻：4.14mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D0N12C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€106W
阈值电压：4V@370A
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6460pF@60V
连续漏极电流：18.5A€114A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@67A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86201
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2735pF@60V
连续漏极电流：11.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@11.6A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：8443，"22+"：7660，"23+"：1504}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800120DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@60V
连续漏极电流：20A€129A
类型：N沟道
导通电阻：4.14mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS006N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@260μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.365nF@60V
连续漏极电流：93A
类型：1个N沟道
反向传输电容：5.8pF@60V
导通电阻：5mΩ@10V，46A
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5306，"23+"：27000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D0N12C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€106W
阈值电压：4V@370A
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6460pF@60V
连续漏极电流：18.5A€114A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@67A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202ET120
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4585pF@60V
连续漏极电流：13.5A€102A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800120DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@60V
连续漏极电流：20A€129A
类型：N沟道
导通电阻：4.14mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800120DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@60V
连续漏极电流：20A€129A
类型：N沟道
导通电阻：4.14mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86201
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2735pF@60V
连续漏极电流：11.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@11.6A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86201
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2735pF@60V
连续漏极电流：11.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@11.6A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86201
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2735pF@60V
连续漏极电流：11.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@11.6A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800120DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@60V
连续漏极电流：20A€129A
类型：N沟道
导通电阻：4.14mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5306，"23+"：27000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D0N12C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€106W
阈值电压：4V@370A
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6460pF@60V
连续漏极电流：18.5A€114A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@67A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS006N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@260μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.365nF@60V
连续漏极电流：93A
类型：1个N沟道
反向传输电容：5.8pF@60V
导通电阻：5mΩ@10V，46A
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202ET120
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4585pF@60V
连续漏极电流：13.5A€102A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
