品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":25455,"20+":1633,"23+":24000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":7085,"09+":2310,"10+":2500,"11+":31427}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4884NFR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@15V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":759}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86151L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":25455,"20+":1633,"23+":24000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86151L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":40650,"11+":2819,"15+":14077,"9999":692,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4197FS
工作温度:150℃
功率:2W€28W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:260pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86151L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86151L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":126000,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86151L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86151L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4N01R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":40650,"11+":2819,"15+":14077,"9999":692,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4197FS
工作温度:150℃
功率:2W€28W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:260pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":1668,"10+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4N01R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: