品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB15N50
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@7.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":35172,"MI+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP18N06LG
工作温度:-55℃~175℃
功率:48.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:管件
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N50CF
工作温度:-55℃~150℃
功率:218W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2055pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@7.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2235
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV8403ASTT1G
工作温度:-40℃~+150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.2V@1.2mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:68mΩ@10V,3A
漏源电压:42V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":35172,"MI+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP18N06LG
工作温度:-55℃~175℃
功率:48.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:管件
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF260N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5852NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2235
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV8403ASTT1G
工作温度:-40℃~+150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.2V@1.2mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:68mΩ@10V,3A
漏源电压:42V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF260N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6600pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":609}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP15N40
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1750pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@7.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF15N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:3.095nF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:440mΩ@10V,7.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4794}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8817NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":1600}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB18N06G
工作温度:-55℃~175℃
功率:48.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV8403ASTT1G
工作温度:-40℃~+150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.2V@1.2mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:68mΩ@10V,3A
漏源电压:42V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV8403ASTT1G
工作温度:-40℃~+150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.2V@1.2mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:68mΩ@10V,3A
漏源电压:42V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":117113,"22+":852}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8260L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5245pF@30V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: