采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@5V
输入电容：1.872nF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：27mΩ@10V，8.2A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：689，"21+"：55972，"MI+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：219194，"20+"：4480，"23+"：1500，"MI+"：30905}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC89521L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€16W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1635pF@30V
连续漏极电流：8.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@5V
输入电容：1.872nF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：27mΩ@10V，8.2A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC89521L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€16W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1635pF@30V
连续漏极电流：8.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：17400，"17+"：3075}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N550U1-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：94W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N550U1-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：94W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：219194，"20+"：4480，"23+"：1500，"MI+"：30905}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC89521L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€16W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1635pF@30V
连续漏极电流：8.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC89521L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€16W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1635pF@30V
连续漏极电流：8.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
