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    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN86501LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@30V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:116mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ661PZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ661PZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDZ661PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1G 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1G 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4111PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN86501LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@30V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:116mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN86501LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@30V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:116mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN306P 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN306P 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1138pF@6V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG 起订1491个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG 起订1491个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":3954,"11+":2950,"12+":119518,"13+":750000,"18+":3000,"19+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN306P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN306P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1138pF@6V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NCV8440ASTT1G 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 NCV8440ASTT1G 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NCV8440ASTT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.69W

    阈值电压:1.9V@100µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@35V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:59V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1 起订124个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1 起订124个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:04+

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4111PT1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF2955T1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF2955T1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF2955T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:14.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:492pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@750mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN306P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN306P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1138pF@6V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NCV8440ASTT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NCV8440ASTT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NCV8440ASTT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.69W

    阈值电压:1.9V@100µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@35V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:59V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN306P 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN306P 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1138pF@6V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NCV8440ASTT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NCV8440ASTT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NCV8440ASTT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.69W

    阈值电压:1.9V@100µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@35V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:59V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD4169FT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD4169FT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":141000,"09+":44907}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGD4169FT1G

    工作温度:-25℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4111PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1G 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1G 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4111PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NCV8440ASTT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NCV8440ASTT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NCV8440ASTT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.69W

    阈值电压:1.9V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@35V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:59V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1023PZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:142mΩ@2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N50Z-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N50Z-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1906,"16+":750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD03N50Z-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:58W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:274pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@1.15A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1G 起订1200个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1G 起订1200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4111PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NCV8440ASTT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NCV8440ASTT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NCV8440ASTT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.69W

    阈值电压:1.9V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@35V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:59V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4111PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN86501LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@30V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:116mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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