采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD4N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP52N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7280pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N90CT
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@4A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF20N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDL100N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：2500W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@50A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：347nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10900pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB4N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€130W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF6N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：51W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1310pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.75A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCA20N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3080pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP7N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH45N50F-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6630pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@22.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD4N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF7N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50FTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF20N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：59.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB4N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1676pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP26N40
工作温度：-55℃~150℃
功率：265W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3185pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@13A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：02+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF2N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.3Ω@750mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N90CT
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@4A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5420，"19+"：13500，"MI+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA20N50-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
