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    30V
    栅极电荷
    连续漏极电流
    品牌: ON SEMI
    功率: 900mW
    工作温度: -55℃~+150℃
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:10+
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    价格
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    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935BZ 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935BZ 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:1.36nF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:22mΩ@10V,6.9A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8958B 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8958B 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:540pF@15V

    连续漏极电流:6.4A€4.5A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:26mΩ@6.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935BZ 起订数25个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935BZ 起订数25个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:1.36nF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:22mΩ@10V,6.9A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935BZ 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935BZ 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    输入电容:1.36nF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:2个P沟道

    栅极电荷:40nC@10V

    功率:900mW

    连续漏极电流:6.9A

    导通电阻:22mΩ@10V,6.9A

    阈值电压:3V@250μA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:3.8nC@5V

    输入电容:412pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,5.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数1000个
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:3.8nC@5V

    输入电容:412pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,5.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数500个
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:3.8nC@5V

    输入电容:412pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,5.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数500个
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:3.8nC@5V

    输入电容:412pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,5.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数10个
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:3.8nC@5V

    输入电容:412pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,5.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:3.8nC@5V

    输入电容:412pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,5.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数10个
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:3.8nC@5V

    输入电容:412pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,5.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数500个
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    栅极电荷:3.8nC@5V

    漏源电压:30V

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    输入电容:412pF@15V

    导通电阻:38mΩ@10V,5.5A

    功率:900mW

    连续漏极电流:5.5A

    阈值电压:3V@250μA

    类型:2个N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

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