采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3672-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：7.2A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3672-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：7.2A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：149}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75631S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQAF13N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：700，"22+"：4000}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75631S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：700，"22+"：4000}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75631S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：700，"22+"：4000}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75631S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
