销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：329W

阈值电压：4.3V@6.7mA

栅极电荷：108nC@10V

输入电容：5.84nF@400V

连续漏极电流：57A

类型：1个N沟道

导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：329W

阈值电压：4.3V@6.7mA

栅极电荷：108nC@10V

输入电容：5.84nF@400V

连续漏极电流：57A

类型：1个N沟道

导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL040N120M3S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：329W

阈值电压：4.4V

栅极电荷：70nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：51A

类型：MOSFET

导通电阻：52mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：329W

阈值电压：4.4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：70nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：51A

类型：MOSFET

导通电阻：52mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：329W

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类型：MOSFET

导通电阻：52mΩ

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：329W

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栅极电荷：70nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：51A

类型：MOSFET

导通电阻：52mΩ

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H

工作温度：-55℃~+150℃

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：329W

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：329W

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ECCN：EAR99

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连续漏极电流：57A

类型：1个N沟道

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：329W

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：329W

阈值电压：4.3V@6.7mA

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连续漏极电流：57A

类型：1个N沟道

导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：329W

阈值电压：4.3V@6.7mA

栅极电荷：108nC@10V

输入电容：5.84nF@400V

连续漏极电流：57A

类型：1个N沟道

导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：329W

阈值电压：4.3V@6.7mA

栅极电荷：108nC@10V

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连续漏极电流：57A

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导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：329W

阈值电压：4.3V@6.7mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：108nC@10V

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导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A

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生产批次：{"22+"：27900，"23+"：73350，"MI+"：3600}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H

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功率：329W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：108nC@10V

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连续漏极电流：57A

类型：1个N沟道

导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：27900，"23+"：73350，"MI+"：3600}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：329W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：108nC@10V

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连续漏极电流：57A

类型：1个N沟道

导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：27900，"23+"：73350，"MI+"：3600}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：329W

阈值电压：4.3V@6.7mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：108nC@10V

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连续漏极电流：57A

类型：1个N沟道

导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S

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功率：329W

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类型：MOSFET

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包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S

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连续漏极电流：51A

类型：MOSFET

导通电阻：52mΩ

漏源电压：1.2kV

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包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：329W

阈值电压：4.4V

ECCN：EAR99

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销售单位：个

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连续漏极电流：51A

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S

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功率：329W

阈值电压：4.4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：70nC

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连续漏极电流：51A

类型：MOSFET

导通电阻：52mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：329W

阈值电压：4.4V

栅极电荷：70nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：51A

类型：MOSFET

导通电阻：52mΩ

漏源电压：1.2kV

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H

工作温度：-55℃~+150℃

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漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：329W

阈值电压：4.3V@6.7mA

栅极电荷：108nC@10V

输入电容：5.84nF@400V

连续漏极电流：57A

类型：1个N沟道

导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H

功率：329W

输入电容：5.84nF@400V

工作温度：-55℃~+150℃

连续漏极电流：57A

阈值电压：4.3V@6.7mA

栅极电荷：108nC@10V

类型：1个N沟道

漏源电压：600V

导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：800psc

规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S

包装方式：Reel

功率：329W

栅极电荷：70nC

工作温度：-55℃~+175℃

阈值电压：4.4V

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导通电阻：52mΩ

ECCN：EAR99

连续漏极电流：51A

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H

输入电容：5.84nF@400V

阈值电压：4.3V@6.7mA

类型：1个N沟道

功率：329W

工作温度：-55℃~+150℃

连续漏极电流：57A

栅极电荷：108nC@10V

漏源电压：600V

ECCN：EAR99

导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A

包装清单：商品主体 * 1