采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：179200，"06+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB90N02T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2120pF@20V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@90A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：179200，"06+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB90N02T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2120pF@20V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@90A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：912}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTL4502NT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：47145，"MI+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD85N02RT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€78.1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@20V
连续漏极电流：12A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：708，"04+"：18895，"05+"：2500，"06+"：2920}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD80N02T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD85N02RT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€78.1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：17.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@20V
连续漏极电流：12A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD80N02T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD95N02RT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€86W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：12A€32A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD95N02RT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€86W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：12A€32A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：708，"04+"：18895，"05+"：2500，"06+"：2920}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD80N02T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD95N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€86W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：12A€32A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：9472}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD85N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€78.1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@20V
连续漏极电流：12A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：47145，"MI+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD85N02RT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€78.1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@20V
连续漏极电流：12A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：195，"10+"：5600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB90N02T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2120pF@20V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@90A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：195，"10+"：5600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB90N02T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2120pF@20V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@90A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD95N02RT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€86W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：12A€32A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTL4502NT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD85N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€78.1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：17.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@20V
连续漏极电流：12A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD95N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€86W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：12A€32A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTL4502NT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD85N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€78.1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：17.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@20V
连续漏极电流：12A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTL4502NT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：912}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTL4502NT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB90N02T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2120pF@20V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@90A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：195，"10+"：5600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB90N02T4G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：90A
输入电容：2120pF@20V
漏源电压：24V
栅极电荷：29nC@4.5V
导通电阻：5.8mΩ@90A，10V
功率：85W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD85N02RT4G
功率：1.25W€78.1W
连续漏极电流：12A€85A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@20V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：17.7nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD80N02T4
连续漏极电流：80A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：42nC@4.5V
漏源电压：24V
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
阈值电压：3V@250µA
功率：75W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTL4502NT1
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：11mΩ@15A，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1605pF@20V
类型：4N沟道（全桥）
连续漏极电流：11.4A
功率：1.7W
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD95N02RT4G
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：21nC@4.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€86W
输入电容：2400pF@20V
类型：N沟道
漏源电压：24V
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：5mΩ@20A，10V
连续漏极电流：12A€32A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"MI+"：912}
规格型号(MPN)：NTL4502NT1
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：11mΩ@15A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：4N沟道（全桥）
连续漏极电流：11.4A
漏源电压：24V
阈值电压：2V@250µA
输入电容：1605pF@20V
ECCN：EAR99
功率：1.7W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
