采购热线 400-661-9010
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：500mV@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：散装
漏源饱和电流：2mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：12Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：2V@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：40mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：12Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：2V@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：散装
漏源饱和电流：40mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：500mV@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：剪切带（CT）
漏源饱和电流：2mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：30Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：3V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：剪切带（CT）
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：500mV@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：剪切带（CT）
漏源饱和电流：2mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY300NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：500mV@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：散装
漏源饱和电流：2mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：1V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：30Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：3V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270-D74Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.2V@100µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@12V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：12Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：625mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：2V@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：散装
漏源饱和电流：40mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：500mV@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：散装
漏源饱和电流：2mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@12V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：500mV@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：剪切带（CT）
漏源饱和电流：2mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：1V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：500mV@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：剪切带（CT）
漏源饱和电流：2mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@12V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：1V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：散装
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：1V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：12Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：2V@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：散装
漏源饱和电流：40mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.2V@100µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@12V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：30Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：3V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：剪切带（CT）
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270-D74Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：30Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：3V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：散装
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：30Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：3V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：散装
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@12V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
