品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35.7W
阈值电压:4.5V@1.1mA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@10V,5.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:28.4W
阈值电压:4.5V@600μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.315nF@100V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35.7W
阈值电压:4.5V@1.1mA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@10V,5.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:28.4W
阈值电压:4.5V@600μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.315nF@100V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:28.4W
阈值电压:4.5V@600μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.315nF@100V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35.7W
阈值电压:4.5V@1.1mA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@10V,5.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:28.4W
阈值电压:4.5V@600μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.315nF@100V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF360N80S3Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:3.8V@0.3mA
栅极电荷:25.3nC@10V
输入电容:1.143nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@10V,6.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF360N80S3Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:3.8V@0.3mA
栅极电荷:25.3nC@10V
输入电容:1.143nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@10V,6.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF360N80S3Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:3.8V@0.3mA
栅极电荷:25.3nC@10V
输入电容:1.143nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@10V,6.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:28.4W
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:4.5V@600μA
栅极电荷:29nC@10V
类型:1个N沟道
输入电容:1.315nF@100V
导通电阻:850mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF400N80Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35.7W
阈值电压:4.5V@1.1mA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@10V,5.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF360N80S3Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:3.8V@0.3mA
栅极电荷:25.3nC@10V
输入电容:1.143nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@10V,6.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:13A
功率:31W
输入电容:1.143nF@400V
导通电阻:300mΩ@10V,6.5A
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:3.8V@0.3mA
类型:1个N沟道
漏源电压:800V
栅极电荷:25.3nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: