品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1837}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.335nF@75V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:3pF@75V
导通电阻:46mΩ@10V,4.4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1837}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1837}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
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连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
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连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
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连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3L1-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@0.29mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.01nF@400V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3L1-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@0.29mA
栅极电荷:24nC@10V
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连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3L1-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@0.29mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.01nF@400V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1837}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3L1-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@0.29mA
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连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3L1-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
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连续漏极电流:12A
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导通电阻:210mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3L1-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
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连续漏极电流:12A
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导通电阻:210mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3L1-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
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连续漏极电流:12A
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导通电阻:210mΩ@10V,6A
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.335nF@75V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:3pF@75V
导通电阻:46mΩ@10V,4.4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3L1-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@0.29mA
栅极电荷:24nC@10V
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连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA908PZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.957nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:12.5mΩ@4.5V,12A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3L1-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@0.29mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.01nF@400V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
输入电容:2.29nF@25V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
栅极电荷:63nC@10V
漏源电压:600V
功率:225W
导通电阻:650mΩ@6A,10V
连续漏极电流:12A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3L1-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@0.29mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.01nF@400V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: