包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA6026
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):10A
功率:5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:50MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@12mA,6A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:3 NPN,3 PNP 达林顿管(3 相桥)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@6A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI04076
工作温度:150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),46W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 350µA
栅极电荷:24.9 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470 pF @ 25 V
连续漏极电流:11A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:8.3 毫欧 @ 23.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):180psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5064
工作温度:150℃
功率:5W
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:460pF@10V€1200pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:3个N沟道和3个P沟道(3相桥式)
导通电阻:140mΩ@5A,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI07113
工作温度:150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4040pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@27.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STA302A
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):4A
功率:3W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@10mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:3 PNP 达林顿管(发射极耦合)
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@3A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TFA37S
断态峰值电压(Vdrm):700V
通态峰值电压(Vtm):1.5V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):15mA
浪涌电流(Itsm):60A
工作温度:-40℃~150℃
通态RMS电流(It(rms)):4.7A
门极触发电流(Igt):15mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
断态峰值电压(Vdrm):600V
ECCN:EAR99
工作温度:-40℃~+150℃
通态RMS电流(It(rms)):20A
门极触发电流(Igt):30mA
包装方式:散装
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA5132
包装方式:管件
连续漏极电流:1.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):180psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA4030
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):3A
功率:4W
集电集截止电流(Icbo):10μA
特征频率:40MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@3mA,1.5A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1.5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI03080
工作温度:150℃
功率:3.1W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI03026
工作温度:150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4010pF@15V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@68A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SKI04044
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:2.5V@650µA
栅极电荷:35.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@42.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA6023
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):6A
功率:5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:80MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@10mA,5A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:3 NPN,3 PNP 达林顿管(3 相桥)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SKI06106
工作温度:150°C(TJ)
功率:90W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 650µA
栅极电荷:38.6 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2520 pF @ 25 V
连续漏极电流:57A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.8 毫欧 @ 28.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
断态峰值电压(Vdrm):600V
工作温度:-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms)):16A
门极触发电流(Igt):30mA
包装方式:散装
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI03061
工作温度:150℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2.5V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI03039
工作温度:150℃
功率:3.1W€59W
阈值电压:2.5V@650µA
栅极电荷:38.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2460pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@47.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TMA166P-L
断态峰值电压(Vdrm):600V
浪涌电流(Itsm):180A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):16A
门极触发电流(Igt):30mA
包装方式:散装
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SKI06106
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:2.5V@650µA
栅极电荷:38.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2520pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@28.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA5133
ECCN:EAR99
包装方式:管件
连续漏极电流:2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI04031
工作温度:150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:63.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3910pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@51A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI04048
工作温度:150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),59W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 650µA
栅极电荷:35.3 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410 pF @ 25 V
连续漏极电流:14A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 毫欧 @ 35.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA6024
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):8A
功率:5W
集电集截止电流(Icbo):10µA(ICBO)
特征频率:50MHz
工作温度:150°C(TJ)
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V @ 10mA,5A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:3 NPN,3 PNP 达林顿管(3 相桥)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000 @ 5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5227
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极截止电流(Ices):600V
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA6010
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):4A
功率:4W
集电集截止电流(Icbo):100µA(ICBO)
特征频率:75MHz
工作温度:150°C(TJ)
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V @ 6mA,3A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:3 NPN,3 PNP 达林顿管(3 相桥)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000 @ 3A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DKI04103
工作温度:150℃
功率:32W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@18.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI03061
工作温度:150℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2.5V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
断态峰值电压(Vdrm):600V
工作温度:-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms)):8A
门极触发电流(Igt):30mA
包装方式:散装
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI04031
工作温度:150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:63.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3910pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@51A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: