采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TFA37S
断态峰值电压(Vdrm)：700V
通态峰值电压(Vtm)：1.5V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：15mA
浪涌电流(Itsm)：60A
工作温度：-40℃~150℃
通态RMS电流(It(rms))：4.7A
门极触发电流(Igt)：15mA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STA302A
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：4A
功率：3W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@10mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：3 PNP 达林顿管（发射极耦合）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA5131
包装方式：管件
连续漏极电流：2A
类型：6N-沟道（3相桥）
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：18psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLA5201
包装方式：管件
连续漏极电流：7A
类型：3个N沟道和3个P沟道（3相桥式）
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：18psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLA5227
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极截止电流(Ices)：600V
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：180psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA4030
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：3A
功率：4W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：40MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@3mA，1.5A
包装方式：管件
晶体管类型：4 NPN 达林顿（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1.5A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：18psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA6010
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：4A
功率：4W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
特征频率：75MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@6mA，3A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STA302A
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：4A
功率：3W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@10mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：3 PNP 达林顿管（发射极耦合）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：180psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA4030
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：3A
功率：4W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：40MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@3mA，1.5A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：4 NPN 达林顿（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1.5A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLA5065
工作温度：150℃
功率：4.8W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：管件
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：4个N通道
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：18psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLA5227
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极截止电流(Ices)：600V
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：180psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA4030
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：3A
功率：4W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：40MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@3mA，1.5A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：4 NPN 达林顿（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1.5A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA5112
工作温度：150℃
功率：4W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：450pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：6N-沟道（3相桥）
导通电阻：500mΩ@3.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLA5222
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极截止电流(Ices)：600V
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA5133
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：2.5A
类型：3个N沟道和3个P沟道（3相桥式）
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：18psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLA6026
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：10A
功率：5W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：50MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@12mA，6A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@6A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA5132
包装方式：管件
连续漏极电流：1.5A
类型：3个N沟道和3个P沟道（3相桥式）
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STA302A
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：4A
功率：3W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@10mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：3 PNP 达林顿管（发射极耦合）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：18psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLA5086
工作温度：150℃
功率：5W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：管件
输入电容：790pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：5P沟道，共源
导通电阻：220mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：18psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA6010
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：4A
功率：4W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
特征频率：75MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@6mA，3A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STA302A
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：4A
功率：3W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@10mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：3 PNP 达林顿管（发射极耦合）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLA5222
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极截止电流(Ices)：600V
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STA302A
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：4A
功率：3W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@10mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：3 PNP 达林顿管（发射极耦合）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA5112
工作温度：150℃
功率：4W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：450pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：6N-沟道（3相桥）
导通电阻：500mΩ@3.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA5133
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：2.5A
类型：3个N沟道和3个P沟道（3相桥式）
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：180psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA4030
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：3A
功率：4W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：40MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@3mA，1.5A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：4 NPN 达林顿（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1.5A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：18psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLA5201
包装方式：管件
连续漏极电流：7A
类型：3个N沟道和3个P沟道（3相桥式）
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA5131
包装方式：管件
连续漏极电流：2A
类型：6N-沟道（3相桥）
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA5112
工作温度：150℃
功率：4W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：450pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：6N-沟道（3相桥）
导通电阻：500mΩ@3.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA5132
包装方式：管件
连续漏极电流：1.5A
类型：3个N沟道和3个P沟道（3相桥式）
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
