包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STA302A
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):4A
功率:3W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@10mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:3 PNP 达林顿管(发射极耦合)
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@3A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA5131
包装方式:管件
连续漏极电流:2A
类型:6N-沟道(3相桥)
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5201
包装方式:管件
连续漏极电流:7A
类型:3个N沟道和3个P沟道(3相桥式)
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5227
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极截止电流(Ices):600V
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):180psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA4030
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):3A
功率:4W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:40MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@3mA,1.5A
包装方式:管件
晶体管类型:4 NPN 达林顿(双)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1.5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA6010
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):4A
功率:4W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:75MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@6mA,3A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:3 NPN,3 PNP 达林顿管(3 相桥)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@3A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STA302A
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):4A
功率:3W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@10mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:3 PNP 达林顿管(发射极耦合)
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@3A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):180psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA4030
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):3A
功率:4W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:40MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@3mA,1.5A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:4 NPN 达林顿(双)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1.5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5065
工作温度:150℃
功率:4.8W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:管件
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:4个N通道
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5227
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极截止电流(Ices):600V
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):180psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA4030
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):3A
功率:4W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:40MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@3mA,1.5A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:4 NPN 达林顿(双)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1.5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA5112
工作温度:150℃
功率:4W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:450pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:6N-沟道(3相桥)
导通电阻:500mΩ@3.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA5133
ECCN:EAR99
包装方式:管件
连续漏极电流:2.5A
类型:3个N沟道和3个P沟道(3相桥式)
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA6026
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):10A
功率:5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:50MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@12mA,6A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:3 NPN,3 PNP 达林顿管(3 相桥)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@6A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA5132
包装方式:管件
连续漏极电流:1.5A
类型:3个N沟道和3个P沟道(3相桥式)
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STA302A
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):4A
功率:3W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@10mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:3 PNP 达林顿管(发射极耦合)
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@3A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5086
工作温度:150℃
功率:5W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:管件
输入电容:790pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:5P沟道,共源
导通电阻:220mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA6010
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):4A
功率:4W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:75MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@6mA,3A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:3 NPN,3 PNP 达林顿管(3 相桥)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@3A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STA302A
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):4A
功率:3W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@10mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:3 PNP 达林顿管(发射极耦合)
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@3A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STA302A
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):4A
功率:3W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@10mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:3 PNP 达林顿管(发射极耦合)
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@3A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA5112
工作温度:150℃
功率:4W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:450pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:6N-沟道(3相桥)
导通电阻:500mΩ@3.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA5133
ECCN:EAR99
包装方式:管件
连续漏极电流:2.5A
类型:3个N沟道和3个P沟道(3相桥式)
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):180psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA4030
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):3A
功率:4W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:40MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@3mA,1.5A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:4 NPN 达林顿(双)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1.5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5201
包装方式:管件
连续漏极电流:7A
类型:3个N沟道和3个P沟道(3相桥式)
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA5131
包装方式:管件
连续漏极电流:2A
类型:6N-沟道(3相桥)
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA5112
工作温度:150℃
功率:4W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:450pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:6N-沟道(3相桥)
导通电阻:500mΩ@3.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA5132
包装方式:管件
连续漏极电流:1.5A
类型:3个N沟道和3个P沟道(3相桥式)
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5065
工作温度:150℃
功率:4.8W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:管件
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:4个N通道
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: