包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STP80NF55

工作温度：-55℃~+175℃

功率：300W

阈值电压：2V

栅极电荷：189nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：5mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGWA100H65DFB2

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，100A

关断延迟时间：130ns

反向恢复时间：123ns

关断损耗：1.4mJ

开启延迟时间：30ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：288nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：2.2mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGW75H65DFB2-4

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，75A

关断延迟时间：121ns

反向恢复时间：88ns

关断损耗：0.766mJ

开启延迟时间：22ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：207nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.992mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STP80NF55

工作温度：-55℃~+175℃

功率：300W

阈值电压：2V

栅极电荷：189nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：5mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGWA50HP65FB2

包装方式：管件

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，50A

关断延迟时间：115ns

反向恢复时间：140ns

关断损耗：0.58mJ

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：151nC

类型：FS(场截止)

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGW75H65DFB2-4

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，75A

关断延迟时间：121ns

反向恢复时间：88ns

关断损耗：0.766mJ

开启延迟时间：22ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：207nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.992mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGWA100H65DFB2

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，100A

关断延迟时间：130ns

反向恢复时间：123ns

关断损耗：1.4mJ

开启延迟时间：30ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：288nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：2.2mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGW100H65FB2-4

栅极阈值电压(Vge(th))：1.8V@15V，100A

关断延迟时间：141ns

关断损耗：1.14mJ

开启延迟时间：23ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：288nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：1.06mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGW75H65DFB2-4

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，75A

关断延迟时间：121ns

反向恢复时间：88ns

关断损耗：0.766mJ

开启延迟时间：22ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：207nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.992mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGWA100H65DFB2

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，100A

关断延迟时间：130ns

反向恢复时间：123ns

关断损耗：1.4mJ

开启延迟时间：30ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：288nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：2.2mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SCTH40N120G2V-7

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：5V

栅极电荷：63nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33A

类型：MOSFET

导通电阻：75mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGW50H65DFB2-4

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，50A

关断延迟时间：128ns

反向恢复时间：92ns

关断损耗：0.478mJ

开启延迟时间：18ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：151nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.629mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGW100H65FB2-4

栅极阈值电压(Vge(th))：1.8V@15V，100A

关断延迟时间：141ns

关断损耗：1.14mJ

开启延迟时间：23ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：288nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：1.06mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：600psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGWA50H65DFB2

包装方式：Tube

集电极脉冲电流(Icm)：86A

集电极截止电流(Ices)：650V

类型：IGBT管

集电极电流(Ic)：1.55V

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGD20N45LZAG

包装方式：卷带（TR）

栅极阈值电压(Vge(th))：1.25V@4V，6A

关断延迟时间：4.6μs

开启延迟时间：1.1μs

集电极截止电流(Ices)：450V

栅极电荷：26nC

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGWA20IH65DF

栅极阈值电压(Vge(th))：2.05V@15V，20A

关断延迟时间：120ns

关断损耗：0.11mJ

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：56nC

类型：FS(场截止)

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGF20H65DFB2

栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，20A

关断延迟时间：78.8ns

反向恢复时间：215ns

关断损耗：0.214mJ

开启延迟时间：16ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：56nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.265mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGWA100H65DFB2

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，100A

关断延迟时间：130ns

反向恢复时间：123ns

关断损耗：1.4mJ

开启延迟时间：30ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：288nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：2.2mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGB30H65DFB2

包装方式：卷带（TR）

栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，30A

关断延迟时间：71ns

反向恢复时间：115ns

关断损耗：0.31mJ

开启延迟时间：18.4ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：90nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.27mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGWA100H65DFB2

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，100A

关断延迟时间：130ns

反向恢复时间：123ns

关断损耗：1.4mJ

开启延迟时间：30ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：288nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：2.2mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGB30H65DFB2

包装方式：卷带（TR）

栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，30A

关断延迟时间：71ns

反向恢复时间：115ns

关断损耗：0.31mJ

开启延迟时间：18.4ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：90nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.27mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGWA100H65DFB2

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，100A

关断延迟时间：130ns

反向恢复时间：123ns

关断损耗：1.4mJ

开启延迟时间：30ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：288nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：2.2mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGW100H65FB2-4

栅极阈值电压(Vge(th))：1.8V@15V，100A

关断延迟时间：141ns

关断损耗：1.14mJ

开启延迟时间：23ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：288nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：1.06mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGW75H65DFB2-4

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，75A

关断延迟时间：121ns

反向恢复时间：88ns

关断损耗：0.766mJ

开启延迟时间：22ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：207nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.992mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGW75H65DFB2-4

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，75A

关断延迟时间：121ns

反向恢复时间：88ns

关断损耗：0.766mJ

开启延迟时间：22ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：207nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.992mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGB30H65DFB2

包装方式：卷带（TR）

栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，30A

关断延迟时间：71ns

反向恢复时间：115ns

关断损耗：0.31mJ

开启延迟时间：18.4ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：90nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.27mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STP80NF55

工作温度：-55℃~+175℃

功率：300W

阈值电压：2V

栅极电荷：189nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：5mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGWA20IH65DF

栅极阈值电压(Vge(th))：2.05V@15V，20A

关断延迟时间：120ns

关断损耗：0.11mJ

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：56nC

类型：FS(场截止)

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SCTL35N65G2V

工作温度：-55℃~+175℃

功率：417W

阈值电压：5V

栅极电荷：73nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：67mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGH30H65DFB-2AG

包装方式：Reel

集电极脉冲电流(Icm)：60A

集电极截止电流(Ices)：650V

类型：IGBT管

集电极电流(Ic)：1.55V

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1